Random dopant fluctuation modelling with the impedance field method

Random dopant fluctuation modelling with the impedance field method
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使用阻抗场法对随机掺杂波动进行建模

DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2003. SISPAD 2003.
影响因子：
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通讯作者：
Wolfgang Fichtner
Wolfgang Fichtner
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
A. Wettstein;O. Penzin;Eugeny Lyumkis;Wolfgang Fichtner

文献摘要

被引文献

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我们讨论了一种基于阻抗场方法的随机掺杂波动建模方法，该方法最近已集成到DESSIS中。该方法易于使用，比统计方法效率高几个数量级。
We discuss an approach for the modelling of random dopant fluctuations based on the impedance field method that has been recently integrated into DESSIS. The method is easy to use and orders of magnitudes more efficient than the statistical method.