Y.Ohizumi et al.: "Determination of the critical layer thickness of GaAs/InGaAs strained quantum well structures by scanning near-field optical microscopy"Institute of Physics Conference Series. 170巻. 449-454 (2002)
Y.Ohizumi et al.: "Determination of the critical layer thickness of GaAs/InGaAs strained quantum well structures by scanning near-field optical microscopy"Institute of Physics Conference Series. 170巻. 449-454 (2002)
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Y. Ohizumi 等人：“通过扫描近场光学显微镜确定 GaAs/InGaAs 应变量子阱结构的临界层厚度”，物理研究所会议系列，第 170 卷，449-454（2002 年）。
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