Growth and electrical property of tin-doped α-Ga_2O_3 thin films on sapphire substrates
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蓝宝石衬底上锡掺杂α-Ga_2O_3薄膜的生长及其电学性能
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kazuaki Akaiwa and Shizuo Fujita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
早川昌志;大越朋哉;酒井政道;長谷川繁彦;北島彰;大島明博;樋口宏二;中村修;Kazuaki Akaiwa and Shizuo Fujita
