トライゲート構造によるレーザー結晶化Poly-Si TFTの実効電子移動度ばらつき低減
トライゲート構造によるレーザー結晶化Poly-Si TFTの実効電子移動度ばらつき低減
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使用三栅极结构减少激光结晶多晶硅 TFT 中的有效电子迁移率变化
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小谷光司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
藤井俊太朗;黒木伸一郎;川崎雄也;小谷光司
