Effects of interface grading on electronic states and optical transitions in GaSb type-II quantum dots in GaAs
Effects of interface grading on electronic states and optical transitions in GaSb type-II quantum dots in GaAs
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界面分级对GaAs中GaSb II型量子点电子态和光学跃迁的影响
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
榊裕之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
川津琢也;榊裕之
