Y.Fujikawa, K.Akiyama, T.Nagao, T.Sakurai, M.G.Lagally, T.Hashimoto, Y.: "Origin of the Stability of Ge(105) on Si : A New Structure Model and Surface Strain Relaxation"Physical Review Letters. 88. 176101-1-176101-4 (2002)
Y.Fujikawa, K.Akiyama, T.Nagao, T.Sakurai, M.G.Lagally, T.Hashimoto, Y.: "Origin of the Stability of Ge(105) on Si : A New Structure Model and Surface Strain Relaxation"Physical Review Letters. 88. 176101-1-176101-4 (2002)
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Y.Fujikawa、K.Akiyama、T.Nagao、T.Sakurai、M.G.Lagally、T.Hashimoto、Y.：“Si 上 Ge(105) 稳定性的起源：一种新的结构模型和表面应变松弛”物理评论
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