Fabrication of High-k Gate Dielectrics using Plasma Oxidization and Post Deposition Annealing of Hf/SiO_2/Si Structure
Fabrication of High-k Gate Dielectrics using Plasma Oxidization and Post Deposition Annealing of Hf/SiO_2/Si Structure
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Hf/SiO_2/Si 结构的等离子体氧化和沉积后退火制备高 k 栅极电介质
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Sugimoto;H.Adachi;Y.Yoshimura;H.Nakashima;H.Nakashima
