Dislocation conversion during SiC solution growth for high-quality crystal
Dislocation conversion during SiC solution growth for high-quality crystal
复制标题
高品质晶体 SiC 溶液生长过程中的位错转换
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Ujihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Harada;Y. Yamamoto;S. Xiao;N. Hara;D. Koike;T. Mutoh;M. Tagawa;T. Sakai;T. Ujihara
