A 5.8 GHz 1 V Linear Power Amplifier Using a Novel On-Chip Transformer Power Combiner in Standard 90 nm CMOS
A 5.8 GHz 1 V Linear Power Amplifier Using a Novel On-Chip Transformer Power Combiner in Standard 90 nm CMOS
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使用标准 90 nm CMOS 中新型片上变压器功率组合器的 5.8 GHz 1 V 线性功率放大器
DOI：
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发表时间：
2008
影响因子：
5.4
通讯作者：
A. Niknejad
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Haldi;D. Chowdhury;P. Reynaert;Gang Liu;A. Niknejad
一个完全集成的5.8 GHz AB类线性功率放大器（PA）在标准的90纳米CMOS工艺中使用薄氧化物晶体管，利用一种新颖的片上变压器功率组合网络。该变压器结合了四个推挽级的功率，在感兴趣的带宽上具有低插入损耗，并且与标准CMOS工艺兼容，无需任何额外的模拟或RF增强。在1v电源下，PA在峰值漏极效率为27%时可实现24.3 dBm的最大输出功率，在1db压缩点可实现20.5 dBm的输出功率。
A fully integrated 5.8 GHz Class AB linear power amplifier (PA) in a standard 90 nm CMOS process using thin oxide transistors utilizes a novel on-chip transformer power combining network. The transformer combines the power of four push-pull stages with low insertion loss over the bandwidth of interest and is compatible with standard CMOS process without any additional analog or RF enhancements. With a 1 V power supply, the PA achieves 24.3 dBm maximum output power at a peak drain efficiency of 27% and 20.5 dBm output power at the 1 dB compression point.