Electron spin relaxiation time in (110)-oriented InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beamepitaxy
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分子束外延生长的（110）取向InGaAs/GaAs量子阱中的电子自旋弛豫时间
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Fujino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Takahashi;F. Hirose;Y. Sato;and H. Kawaguchi;Shinji Koh;揖場聡;黄晋二;Hitoshi Kawaguchi;Hiroshi Fujino
