PLZTの全偏光特性を考慮した複屈折性メモリデバイスの開発
PLZTの全偏光特性を考慮した複屈折性メモリデバイスの開発
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考虑PLZT全偏振特性的双折射存储器件的开发
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大谷 幸利
中科院分区：
文献类型：
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作者：
銀屋 真;水谷 康弘;岩田 哲郎;大谷 幸利
