Dependence on temperature of homogeneous broadening of InGaAs/InAs/GaAs quantum dot fundamental transitions
Dependence on temperature of homogeneous broadening of InGaAs/InAs/GaAs quantum dot fundamental transitions
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InGaAs/InAs/GaAs 量子点基本跃迁均匀展宽对温度的依赖性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Bloch
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Ouerghui;A. Melliti;M. Maaref;J. Bloch
