生成座標法によるGe-Se同位体の解析
生成座標法によるGe-Se同位体の解析
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使用生成坐标法分析 Ge-Se 同位素
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
東山幸司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
廣瀬重信;Blaes;O.;Coleman;M.;Krolik;J.;佐野孝好;吉永尚孝;大川 祐司;照屋絵理;Yuji Okawa;田口大輔;東山幸司;飯森 悠樹，野海 俊文，大川 祐司，鳥居 真吾;Eri Teruya;照屋絵理;吉永尚孝;東山幸司;Koji Higashiyama;Koji Higashiyama;E. Teruya;Naotaka Yoshinaga;山田弘平;吉永尚孝;東山幸司;照屋絵理;東山幸司
