Analysis of low noise, bipolar transistor head amplifiers for high energy applications of silicon detectors
Analysis of low noise, bipolar transistor head amplifiers for high energy applications of silicon detectors
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硅探测器高能应用中低噪声双极晶体管前置放大器的分析
DOI：
10.1016/0029-554x(82)90247-6
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发表时间：
1982
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Poinsignon
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. D'Angelo;A. Hrisoho;P. Jarron;P. Manfredi;J. Poinsignon
