Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/A1GaN/GaN heterostructure capacitors
Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/A1GaN/GaN heterostructure capacitors
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界面态和温度对金属/绝缘体/AlGaN/GaN异质结构电容器C-V行为的影响
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and B. Adamowicz
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Miczek;C. Mizue;T. Hashizume;and B. Adamowicz
