O2共存H2O雰囲気での界面近傍酸化膜成長による４H-SiC MOSFET移動度の向上
O2共存H2O雰囲気での界面近傍酸化膜成長による４H-SiC MOSFET移動度の向上
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在O2共存H2O气氛中通过在界面附近生长氧化膜来提高4H-SiC MOSFET的迁移率
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
喜多浩之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
平井悠久;喜多浩之
