超深亚微米 SOI 总剂量效应泄漏电流模型

超深亚微米 SOI 总剂量效应泄漏电流模型
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DOI:
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发表时间:
2019
期刊:
太赫兹科学与电子信息学报
影响因子:
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通讯作者:
陆妩
陆妩
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
席善学;郑齐文;崔江维;魏莹;姚帅;何承发;郭旗;陆妩

文献摘要

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