Performance Study of a Schottky Barrier Double-Gate MOSFET Using a Two-Dimensional Analytical Model
Performance Study of a Schottky Barrier Double-Gate MOSFET Using a Two-Dimensional Analytical Model
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使用二维解析模型研究肖特基势垒双栅极 MOSFET 的性能
DOI：
10.1109/ted.2012.2235146
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发表时间：
2013
影响因子：
3.1
通讯作者：
B. Iniguez
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Schwarz;T. Holtij;A. Kloes;B. Iniguez
