Effect of Back Channel on the Characteristics of Solution-Derived Amorphous InZnO Thin-Film Transistors
Effect of Back Channel on the Characteristics of Solution-Derived Amorphous InZnO Thin-Film Transistors
复制标题
背沟道对溶液法非晶InZnO薄膜晶体管特性的影响
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Yukiharu Uraoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yukihiro Osada;Yasuaki Ishikawa;Li Lu;and Yukiharu Uraoka
