ZrSiO_4-doped Sr_<0.8>Bi_<2.2>Ta_2O_9 films suitable for ferroelectric-gate FET applications
ZrSiO_4-doped Sr_<0.8>Bi_<2.2>Ta_2O_9 films suitable for ferroelectric-gate FET applications
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适用于铁电栅极 FET 应用的 ZrSiO_4 掺杂 Sr_<0.8>Bi_<2.2>Ta_2O_9 薄膜
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Ishiwara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
X-B. Lu;Y. Sugiyama;H. Ishiwara
