スパッタSiO2成膜よる安定なGaN MOS構造の形成
スパッタSiO2成膜よる安定なGaN MOS構造の形成
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通过溅射SiO2薄膜沉积形成稳定的GaN MOS结构
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
渡部平司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
大西健太郎;見掛文一郎;冨ヶ原一樹;溝端秀聡;野崎幹人;小林拓真;志村考功;渡部平司
