Characterization and Control of MOS Interface States in GaN-based MOS-HEMTs Using Al203 Gate Insulator
Characterization and Control of MOS Interface States in GaN-based MOS-HEMTs Using Al203 Gate Insulator
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使用 Al2O3 栅极绝缘体的 GaN 基 MOS-HEMT 中 MOS 界面状态的表征和控制
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Tamotau Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yujin Hori;Zenji Yatabe;and Tamotau Hashizume
