Control of Ga2O3 crystal structure on sapphire substrates by introducing α-(AlxGa1-x)2O3 buffer layers
Control of Ga2O3 crystal structure on sapphire substrates by introducing α-(AlxGa1-x)2O3 buffer layers
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通过引入α-(AlxGa1-x)2O3缓冲层控制蓝宝石衬底上的Ga2O3晶体结构
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Shizuo Fujita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Riena Jinno;Takayuki Uchida;Kentaro Kaneko;and Shizuo Fujita
