A numerical study of partial-SOI LDMOSFETs
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DOI：
10.1016/s0038-1101(02)00207-1
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发表时间：
2003-02
影响因子：
1.7
通讯作者：
J. M. Park;T. Grasser;H. Kosina;S. Selberherr
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. M. Park;T. Grasser;H. Kosina;S. Selberherr
