Transport Characteristics of InSb In-Plane Trench Gate Quantum Point Contact Devices with Metal Center Gate
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金属中心栅InSb面内沟槽栅量子点接触器件的输运特性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Hirayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Masuda;K. Nagase;K. S. Wickramasinghe;T. D. Mishima;M. B. Santos;M. Kohda;J. Nitta;and Y. Hirayama
