Effects of Parasitic Region in SiC Bipolar Junction Transistors on Forced Current Gain
Effects of Parasitic Region in SiC Bipolar Junction Transistors on Forced Current Gain
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SiC 双极结晶体管中的寄生区对强制电流增益的影响
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.629
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Asada;J. Suda;and T. Kimoto
