Effect of hydrogen diffusion from SiOx etch-stopper layer on amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistor properties
Effect of hydrogen diffusion from SiOx etch-stopper layer on amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistor properties
复制标题
SiOx 刻蚀阻挡层氢扩散对非晶 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管性能的影响
DOI:
--
复制
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
Mamoru Furuta
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
Tatsuya Toda;Daichi Koretomo;Mamoru Furuta