SPICE modeling and dynamic electrothermal simulation of SiC power MOSFETs
SPICE modeling and dynamic electrothermal simulation of SiC power MOSFETs
复制标题
SiC 功率 MOSFET 的 SPICE 建模和动态电热仿真
DOI：
10.1109/ispsd.2014.6856032
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Castellazzi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. d’Alessandro;A. Magnani;M. Riccio;G. Breglio;A. Irace;N. Rinaldi;A. Castellazzi
本文提出了一种计算高效的 3D 仿真方法，用于 SiC 功率 MOSFET 的动态电热分析。该策略依赖于整个器件的电路表示，其中电热反馈是通过等效电气网络实现的，并且基本器件单元由新颖的行为模型描述，该模型考虑了关键物理参数的非直观温度依赖性。
This paper presents a computationally efficient 3-D simulation approach for the dynamic electrothermal analysis of SiC power MOSFETs. The strategy relies on a circuit representation of the whole device, where the electrothermal feedback is enabled through an equivalent electrical network, and the elementary device cell is described by a novel behavioral model accounting for the non-intuitive temperature dependences of key physical parameters.