Effect of hydrogen on the mobility of surface defects induced in plasma etching process for silicon
Effect of hydrogen on the mobility of surface defects induced in plasma etching process for silicon
复制标题
氢对硅等离子刻蚀过程中引起的表面缺陷迁移率的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S. Kamiya
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Nakamura;T. Kim;H. Izumi;S. Kamiya
