酸性アモノサーマル法による高品位GaN結晶成長
酸性アモノサーマル法による高品位GaN結晶成長
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采用酸性氨热法生长高品位 GaN 晶体
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
斉藤真，包全喜，栗本浩平，冨田大輔，小島一信，鏡谷勇二，茅野林造，石黒徹，秩父重英
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Kamide;K. Kawabe;S. Shigemi;and T. Arai;斉藤真，包全喜，栗本浩平，冨田大輔，小島一信，鏡谷勇二，茅野林造，石黒徹，秩父重英
