InAs/InxGa1-xSb２次元トポロジカル絶縁体における歪みエンジニアリングによるバンドギャップの増大
InAs/InxGa1-xSb２次元トポロジカル絶縁体における歪みエンジニアリングによるバンドギャップの増大
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通过应变工程增加 InAs/InxGa1-xSb 二维拓扑绝缘体的带隙
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
秋保貴史，入江宏， F. Couedo，鈴木恭一，小野満恒二， 村木康二
中科院分区：
文献类型：
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作者：
秋保貴史，入江宏， F. Couedo，鈴木恭一，小野満恒二， 村木康二
