ALD-Al2O3/InGaAs MOS Structures with Interfacial Control Layers Formed by Nitridation of InGaAs Surfaces
ALD-Al2O3/InGaAs MOS Structures with Interfacial Control Layers Formed by Nitridation of InGaAs Surfaces
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InGaAs表面氮化形成界面控制层的ALD-Al2O3/InGaAs MOS结构
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takuya Hoshii
中科院分区：
文献类型：
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作者：
市田裕之;米山勝美;阿部知子;Takuya Hoshii;Takuya Hoshii
