T.Ohmi: "Gate Oxide Reliability Concerns in Gate-Metal Sputtering Deposition Process: An Effect of Low-Energy Large-Mass Ion Bombardment"Microelectronics Reliability. 39・3. 327-332 (1999)
T.Ohmi: "Gate Oxide Reliability Concerns in Gate-Metal Sputtering Deposition Process: An Effect of Low-Energy Large-Mass Ion Bombardment"Microelectronics Reliability. 39・3. 327-332 (1999)
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T.Ohmi：“栅极金属溅射沉积过程中的栅极氧化物可靠性问题：低能量大质量离子轰击的影响”微电子可靠性39・3。
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