Scattering Potentials of Oppositely Buckled Sn-Ge and Si-Ge Dimers on Ge (001) Studied by Scanning Tunneling Microscopy and ab-initio Calculations
Scattering Potentials of Oppositely Buckled Sn-Ge and Si-Ge Dimers on Ge (001) Studied by Scanning Tunneling Microscopy and ab-initio Calculations
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通过扫描隧道显微镜和从头计算研究 Ge (001) 上相反屈曲的 Sn-Ge 和 Si-Ge 二聚体的散射势
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kota Tomatsu;Binghai Yan;Chenchen Wang;他
