ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製
ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製
复制标题
具有异质发射器和本征沟道的垂直 InGaAs-MOSFET 的制造
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
古屋 一仁
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
齋藤 尚史;金澤 徹;宮本 恭幸;古屋 一仁
