Hole doped alpha-MgAgSb as potential low temperature thermoelectric materials
Hole doped alpha-MgAgSb as potential low temperature thermoelectric materials
复制标题
空穴掺杂 α-MgAgSb 作为潜在的低温热电材料
DOI：
10.1016/j.physleta.2019.07.021
复制
发表时间：
2019
影响因子：
2.6
通讯作者：
Rao Guang hui
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhou Gang;Xu Ji wen;Rao Guang hui
