深堀メサ型GaN縦型pnダイオード絶縁破壊電界の貫通転位密度依存性
深堀メサ型GaN縦型pnダイオード絶縁破壊電界の貫通転位密度依存性
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深台面型GaN垂直pn二极管击穿电场的穿透位错密度依赖性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
天野 浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
宇佐美 茂佳;田中 敦之;福島 颯太;安藤 悠人;出来 真斗;新田 州吾;本田 善央;天野 浩
