75% efficient wide bandwidth grating couplers in a 45 nm microelectronics CMOS process
75% efficient wide bandwidth grating couplers in a 45 nm microelectronics CMOS process
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75%%20效率%20宽%20带宽%20光栅%20耦合器%20in%20a%2045%20nm%20微电子%20CMOS%20工艺
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Popović
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Wade;F. Pavanello;R. Kumar;Cale M. Gentry;A. Atabaki;Rajeev J Ram;V. Stojanović;M. Popović
我们介绍了高度定向垂直光栅耦合器的设计和表征，该耦合器在商用 45 nm 微电子 SOI 工艺中实现了 -1.2 dB 耦合效率和 78 nm 1 dB 带宽。
We present the design and characterization of highly directional vertical grating couplers achieving -1.2 dB coupling efficiency with 78nm 1- dB bandwidth realized in a commercially available 45nm microelectronics SOI process.