Si(111)を基板とするInAsナノワイヤ気相成長:As吸着表面の第一原理的研究
Si(111)を基板とするInAsナノワイヤ気相成長:As吸着表面の第一原理的研究
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Si(111) 基底上 InAs 纳米线的气相生长：As 吸附表面的第一性原理研究
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
古賀裕明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Usui;K.Kobayashi;N.Sugimoto;遠藤玉樹・杉本直己;國分貴雄;古賀裕明
