Observation of photoluminescence emission in ferromagnetic semiconductor GaCrN
Observation of photoluminescence emission in ferromagnetic semiconductor GaCrN
复制标题
铁磁半导体GaCrN光致发光的观察
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.Asahi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M.Hashimoto;H.Tanaka;R.Asano;S.Hasegawa;H.Asahi
登录
查看更多内容
(Ga,Mn)N 分子束外延
影响因子：
1.8
作者：
T. Kondo;S. Kuwabara;H. Ôwa;H. Munekata
通讯作者：
H. Munekata
具有 PtHg 4 结构的 Hume-Rothery 化合物的键合和物理性质
DOI：
--
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
U. Häussermann;P. Viklund;M. Boström;R. Norrestam;S. Simak
通讯作者：
S. Simak
GaCrN 的 MBE 生长和性能
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
J. Crystal Growth. 251
影响因子：
--
作者：
H.Hashimoto;Y.K.Xhou;M.Kanamura;H.Katayama-Yoshida;H.Asahi
通讯作者：
H.Asahi
III-V稀磁半导体材料的外延
影响因子：
1.4
作者：
H. Munekata;H. Ohno;S. V. Molnár;A. Harwit;A. Segmüller;L. L. Chang
通讯作者：
L. L. Chang
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Kanehara;T. Teranishi et al.;H.Qiu;S. Maekawa
通讯作者：
S. Maekawa