Effect of nitridation on the growth of GaN on ZrB_2(0001)/Si (111) by molecular beam epitaxy
Effect of nitridation on the growth of GaN on ZrB_2(0001)/Si (111) by molecular beam epitaxy
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氮化对分子束外延在ZrB_2(0001)/Si(111)上生长GaN的影响
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
I.S.T.Tsong
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhi-Tao Wang;Y.Yamada-Takamura;Y.Fujikawa;T.Sakurai;Q.K.Xue;J.Tolle;J.Kouvetakis;I.S.T.Tsong
