固相エピタキシー法によるSOI基板上GeSn MSMダイオードの作製
固相エピタキシー法によるSOI基板上GeSn MSMダイオードの作製
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固相外延法在SOI衬底上制备GeSn MSM二极管
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
遠藤 和彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岡 博史;水林 亘;石川 由紀;細井 卓治;志村 考功;渡部 平司;前田 辰郎;内田 紀行;遠藤 和彦
