Cryogenic GaAs high-electron-mobility-transistor amplifier for current noise measurements
Cryogenic GaAs high-electron-mobility-transistor amplifier for current noise measurements
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用于电流噪声测量的低温砷化镓高电子迁移率晶体管放大器
DOI：
10.1063/5.0036419
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发表时间：
2021
影响因子：
1.6
通讯作者：
and Koji Muraki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sanghyun Lee;Masayuki Hashisaka;Takafumi Akiho;Kensuke Kobayashi;and Koji Muraki
