T.Toyama: "Solid Phase Crystallization in Initial Growth Region of Polycrystalline Silicon Layer during Deposition at 180℃ by Plasma Chemical Vapor Deposition"Jpn.J.Appl.Phys.. 42. L1347-L1349 (2003)
T.Toyama: "Solid Phase Crystallization in Initial Growth Region of Polycrystalline Silicon Layer during Deposition at 180℃ by Plasma Chemical Vapor Deposition"Jpn.J.Appl.Phys.. 42. L1347-L1349 (2003)
复制标题
T.Toyama：“通过等离子体化学气相沉积在 180℃ 沉积过程中多晶硅层初始生长区域的固相结晶”Jpn.J.Appl.Phys.. 42. L1347-L1349 (2003)
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
