Strongly compressed Bi (111) bilayer films on Bi2Se3 studied by scanning tunneling microscopy
Strongly compressed Bi (111) bilayer films on Bi2Se3 studied by scanning tunneling microscopy
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通过扫描隧道显微镜研究 Bi2Se3 上的强压缩 Bi (111) 双层薄膜
DOI：
10.1063/1.4931390
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发表时间：
2015-09
影响因子：
4
通讯作者：
Jia, Jin-Feng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu, Canhua;Qian, Dong;Gao, C. L.;Jia, Jin-Feng
超薄Bi薄膜表现出奇异的电子结构和新颖的量子效应，特别是广泛研究的Bi(111)薄膜。利用反射高能电子衍射和扫描隧道显微镜，我们研究了在 Bi2Se3 上生长的 Bi(111) 薄膜的结构和形貌演化。在前三个双层中发现了强烈压缩但快速释放的 Bi (111) 面内晶格。 Bi的第一双层表现出具有平坦表面的分形生长模式，而第二和第三双层由于面内晶格的强压缩而表现出周期性屈曲。随着 Bi 的进一步沉积，晶格慢慢改变其体积值。
Ultra-thin Bi films show exotic electronic structure and novel quantum effects, especially the widely studied Bi (111) film. Using reflection high-energy electron diffraction and scanning tunneling microscopy, we studied the structure and morphology evolution of Bi (111) thin films grown on Bi2Se3. A strongly compressed, but quickly released in-plane lattice of Bi (111) is found in the first three bilayers. The first bilayer of Bi shows a fractal growth mode with flat surface, while the second and third bilayer show a periodic buckling due to the strong compression of the in-plane lattice. The lattice slowly changes to its bulk value with further deposition of Bi.
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