Effects of Diffusion-Barrier-Patterning on Formation of Position-Controlled Ge-on- Insulator by Gold-Induced Crystallization at Low Temperatures (≦300℃)
Effects of Diffusion-Barrier-Patterning on Formation of Position-Controlled Ge-on- Insulator by Gold-Induced Crystallization at Low Temperatures (≦300℃)
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扩散势垒图案化对低温（≤300℃）金诱导结晶形成位置控制的绝缘体上Ge的影响
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Sadoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Aoki;J-H Park;M. Miyao;and T. Sadoh
