H.Saito,M.Ohishi,J.Fujiwara,K.Ohomiri: "Effect of residual strain on the splitting of excitonic luminescence lines in epitaxially grown ZnSe/GaAs" Japanese J.Applied Physics. 29. 1504-1505 (1990)
H.Saito,M.Ohishi,J.Fujiwara,K.Ohomiri: "Effect of residual strain on the splitting of excitonic luminescence lines in epitaxially grown ZnSe/GaAs" Japanese J.Applied Physics. 29. 1504-1505 (1990)
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H.Saito、M.Ohishi、J.Fujiwara、K.Ohomiri：“残余应变对外延生长的 ZnSe/GaAs 中激子发光线分裂的影响”日本 J.应用物理学。
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