A study on in-situ maskless selective epitaxy of GaAs by a low-energy Ga focused ion beam with an As4 molecular beam
A study on in-situ maskless selective epitaxy of GaAs by a low-energy Ga focused ion beam with an As4 molecular beam
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低能Ga聚焦离子束与As4分子束原位无掩模选择性外延GaAs的研究
DOI：
10.1016/0022-0248(94)00494-3
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发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Yonezu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Isao Saitoh;K. Pak;Y. Inoue;N. Ohshima;H. Yonezu
