Germanium-tin n+/p junction formed using phosphorus ion implant and 400 deg;C rapid thermal anneal
Germanium-tin n+/p junction formed using phosphorus ion implant and 400 deg;C rapid thermal anneal
复制标题
使用磷离子注入和400形成的锗-锡n/p结
DOI：
--
复制
发表时间：
2012
影响因子：
4.9
通讯作者：
Y.-C. Yeo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C. Xue;B. Cheng;G. Han;Y.-C. Yeo
