光応答性部位の協奏に起因した 高いイオン伝導度スイッチング材料の開発
光応答性部位の協奏に起因した 高いイオン伝導度スイッチング材料の開発
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通过光响应位点的合作开发高离子电导率开关材料
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
青木健太郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keisuke Muramatsu;Yuta Takemura;Ryota Saito;Angga Hermawan;Wataru Sugimoto;青木健太郎
